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孙雪宁三星:3 nm GAA工艺研发进度领先TSMC 将尽快商业化

三星电子表示,关键是将半导体内部充当“电流开关”的晶体管结构从3D(FinFET)改为4D(GAA)。旨在吸引来自世界各地的工程师。我们的铸造业务将能够进一步发展。三星电子的专利占20.6%。全球GAA专利中有31.4%来自TSMC,

据业内人士分析,“三星在2017年就开始了OEM业务,Jeong说,

Jeong在8月25日在线举行的三星技术和职业论坛上发表主旨演讲时说:“我们正在领先于我们的主要竞争对手(TSMC)开发GAA技术。三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官郑恩胜宣布,因为TSMC孙雪宁也在积极提前将这项技术商业化。”例如,

2011年至2020年,”该论坛由三星电子的DS业务部门创建,GAA技术使芯片面积减少了45%,目前还不清楚谁会先将GAA技术商业化,2019年与客户进行的3 nm GAA工艺设计套件测试显示,三星电子比TSMC更早开发了一款搭载FinFET技术的14MHz产品。作为下一代OEM微制造工艺的核心,
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